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2.5D 封装正成为撑握 AI 芯片高性能需求的中枢本领之一。
SK 海力士准备去好意思国成立一个先进封装产线，盘算进入 38.7 亿好意思元，成立一个 2.5D 封装量产线。到 2028 年下半年，进展进入运营。同期，台积电也正在对现存的 8 英寸和 12 英寸晶圆厂进行首要升级创新，把主要坐蓐 90 纳米及以上制程的芯片的工场，重心升级装配支握芯片封装（CoWoS）和芯片封装（CoPoS）本领的先进封装坐蓐线。
这些作为反应出一个趋势：半导体制造已进入"晶圆代工 2.0 "时间，制造、封装与测试的深度整合成为新的竞争焦点。
01
2.5D 封装，有多重要？
跟着东说念主工智能本领快速发展，先进封装已非凡制程工艺成为半导体行业最热点领域。Yole 集团数据夸耀，全国先进封装阛阓到 2030 年达到约 800 亿好意思元，将以 9.4% 的年复合增长率握续增长。
这一演变并非一蹴而就。从 1950 年代的点对点封装（>0.5mm I/O 间距），到 1970 年代的左近穿孔封装（
那么，什么是 2.5D 封装？
浅显来说，2.5D 封装是一种通过硅中介层（Silicon Interposer）或镶嵌式桥接本领（如英特尔的 EMIB）将多个芯片水平联结起来的本领。与传统的 2D 封装比较，它允许在单一封装内集成更多功能单位，比如 CPU、GPU、内存（HBM）和 I/O 模块；而与复杂的 3D 堆叠比较，它又幸免了过高的制造难度和热管制挑战。这种"不上不下的中间现象"碰劲为 AI 芯片提供了无缺的均衡。
AI 芯片的一个权臣特色是需要高带宽和低延迟的芯片间通讯。举例，考验一个深度学习模子时，GPU 需要与高带宽存储器（HBM）快速交换数据，而传统的封装本领不异受限于互连带宽和功耗。2.5D 封装通过在芯片间引入高密度互连通说念，权臣提醒了数据传输成果，同期保握了相对浅显的制造经过。这使得它很是恰当 AI 加速器和数据中心处理器等高性能应用。
当今用于整合 AI Chiplets ( 举例 GPU 以及存储 ) 的主要先进封装本领，有两种。一种是硅中介层决议，如台积电的 CoWoS，先将芯片通过 Chip on Wafer（CoW）工艺联结至硅晶圆，再与基板整合；另一种是 RDL 中介层决议，如 FOCoS（Fan Out Chip-on-Substrate），将芯片置于 RDL 介面上进行整合。
若 RDL Interposer 上内埋有桥接结构（Bridge），则称为 FOCoS-Bridge 或 FO-Bridge 封装。举例 AMD MI250，等于将 GPU 跟 HBM 整合在 RDL Interposer 上头，欺骗内埋的桥接结构提供较细的澄澈来联结 GPU 跟 HBM。
台积电的 CoWoS 严格来说也属于 2.5D 先进封装本领，由 CoW 和 oS 组合而来：先将芯片通过 Chip on Wafer（CoW）的封装制程联结至硅晶圆，再把 CoW 芯片与基板（Substrate）联结，整合成 CoWoS。英特尔在 2.5D 上有多个决议：EMIB 2.5D、Foveros-S 2.5D、Foveros-B 2.5D。
现时，HBM4 是使用 2.5D 封装的典型代表，诸如 AMD、NVIDIA 等企业已推出多款基于 2.5D 硅中介层的家具。
预测翌日，行业的发展旅途正在渐渐明晰。IMEC 以为，互连层级与系统分区是 3D 集成的中枢逻辑。2D 互连依赖平面布线与垂直过孔，而 3D 互连通过硅通孔（TSV）、微凸点、铜 - 铜径直键合等本领，竣事芯片堆叠与中介层集成，形成从晶体管到封装基板的完整互连体系。
翌日行业主要有两大发展标的：2.5D 芯粒集成通过顺序化总线接口竣事孤立芯片互连；3D-SOC 则通过协同假想，将片上互连蚁合蔓延至 3D 空间，大幅提醒互连密度。
2.5D 封装的裂缝在于中介层。
台积电 CoWoS 本领的硅中介层尺寸从 2016 年的 1.5 倍光刻版尺寸（约 1287mm²）演进至现时的 3.3 倍（约 2831 mm²），可支握 8 个 HBM3 堆叠，并盘算 2026 年推广至 5.5 倍尺寸（4719mm²）以兼容 12 个 HBM4 堆叠。
跟着 HBM 接口带宽提醒，中介层的复杂度也在增多。当今典型中介层最多有四层金属，但已有家具接纳多达十层的假想。联电先进封装总监指出："在 HBM4 之后，就需要八到九层金属层。"层数增多会推高成本，同期带来机械强度与翘曲结尾的挑战。日蟾光高档总监曹立宏默示："为了裁减互连旅途并提高信号完整性，中介层厚度束缚减小，但需在厚度与机械踏实性之间赢得均衡。"
现时绝大大王人中介层为无源结构，仅提供互连功能。但由于硅中介层由半导体材料制成，翌日有望集成晶体管，发展为有源中介层，用于电源管制、I/O 或光器件集成，尤其适用于 AI 和高性能狡计场景。
据 semiengineering 分析，为了幸免漂后的成本，当今业内有两种容颜：一种时势是寻找比硅更低廉的材料。有机中介层在材料和制酿成本方面王人更低，因为它是在面板上而非晶圆上制造的。硅需要后头研磨来走漏硅通孔（TSV），而有机中介层则无需这些工艺智力。另一种容颜是，使用硅桥接器代替硅中介层。每个桥接器的尺寸王人小得多，从而不错提高良率。一个桥接器（或多个桥接器）的成本将远低于一个硅中介层的成本。
国内这边，2025 年 10 月份，盛合晶微科创板 IPO 苦求已获受理。公司是中国大陆最早竣事 12 英寸 Bumping 量产的企业之一，亦然首家提供 14nm 先进制程 Bumping 劳动的企业，具备 2.5D/3D IC 超高密度微凸块的大规模量产才智。
在基于 TSV 硅中介层的 2.5D 集成方面，盛合晶微是国内最早量产、规模最大的企业之一。据灼识有计划统计，其 2024 年在中国大陆 2.5D 封装阛阓的收入份额约为 85%，本领才智与全国逾越企业不存在代差。
长电科技推出XDFOI 高密度扇出型封装平台，具备 2.5D 封装才智，可支握 4nm 节点 Chiplet 家具封装。该平台通过多层 RDL 布线和微凸点本领，竣事芯片间的高密度互连，应用于移动结尾、边际 AI 等领域，本领计议达到国际先进水平。
通富微电在 2.5D/3D 封装领域赢得破损，与 AMD 等客户妥洽，竣事大尺寸 FCBGA 和 2.5D 封装量产。其 TSV 工艺成本较国际低 40%，并通过结合开发 HBM 本领，提醒封装集成才智，支握高性能狡计、GPU 等应用场景。
华天科技布局 2.5D 封装本领，12 英寸晶圆级 TSV 产线聚焦 CIS、MEMS 等应用，良率达到 85%。通过优化工艺经过和材料遴荐，提醒封装性能和可靠性，慢慢放松与国际先进水平的差距。
02
3D 封装是下一步
2.5D 仅仅过渡阶段，3D 封装才是下一主见，最大的公道是把连线距离大大裁减了。3D 封装是通过垂直堆叠竣事芯片立体集成，中枢本领包括硅通孔（TSV）和混杂键合（Hybrid Bonding）。
TSV 本领通过邻接硅片的垂直导电通说念联结堆叠芯片，如三星 X-Cube 本领基于 TSV 竣事 SRAM 与逻辑芯片的 3D 堆叠，裁减信号旅途以提醒速率和能效。混杂键合本领（如台积电 SoIC 的 Cu-Cu 键合）则通过金属径直键合摒弃微凸点粗疏，竣事 10μm 以下互连间距，带宽密度可达 1TB/s/mm²，较传统微凸点提醒 10 倍。
为支握这一瞥型，ASML 还是向客户委用第一台专为先进封装应用开发的光刻机" TWINSCAN XT:260 "，可用于 3D 芯片、Chiplets 芯粒的制造与封装。
XT:260 的主见是贬责芯片封装日益增长的复杂性，容许全行业向 3D 集成、芯粒架构的转型，尤其是更大曝光面积、更高朦拢量的条款。接纳波长为 365 纳米的 i 线光刻本领 ( i-line lithography ) ，分离率约为 400 纳米，NA ( 孔径数值 ) 0.35，坐蓐速率高达每小时 270 块晶圆，是现存先进封装光刻机的足足 4 倍。
此外，泛林集团也在旧年 9 月告示，已开发出用于先进半导体封装的新式千里积开发" Vector Teos 3D "。该新家具是面向东说念主工智能（AI）和高性能狡计（HPC）芯片制造的开发，其主要特色在于约略轻率"异质集成"（即联结不同半导体）和三维（3D）垂直堆叠过程中出现的各样本领辛劳。
03
结语
除了自建先进封装产能的 SK 海力士，越来越多的企业收拢契机，王人在加速扩产先进封装。
日蟾光 2025 年 9 月告示，将 K18B 厂房的新建工程发包给福华工程股份有限公司，此举旨在轻率翌日先进封装产能的引申需求。11 月又默示，子公司日蟾光半导体董事和会过两项首要不动产与扩厂决议，准备扩产以轻率 AI 带动芯片应用强劲增长及客户对先进封装测试产能的重要需求。
全国第二大 OSAT 企业 Amkor（安靠）在 2025 年 8 月告示，对其在好意思国亚利桑那州皮奥里亚市的先进封测设施技俩进行首要更始。新厂选址仍在皮奥里亚市，但占大地积从原先的 56 英亩扩大至 104 英亩，简直翻倍。
长电科技保握全年 85 亿元成本开销盘算，重心投向先进封装的本领破损，以及汽车电子、功率半导体、动力阛阓等需求增长最快的领域；华天科技在旧年完成了 ePoP/PoPt 高密度存储器及应用于智能座舱与自动驾驶的车规级 FCBGA 封装本领，2.5D/3D 封装产线完成通线。
全国产能的密集落地股票配资软件_实盘平台交易成本与收费结构说明，印证了先进封装已从制造关节跃升为半导体竞争的中枢赛说念，裂缝在于谁更快霸占先机。
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